伯恩斯坦：常规DRAM价格在2027年可能继续上涨，HBM面临盈利追赶压力

6月22日，伯恩斯坦分析师在一份报告中表示，常规DRAM价格在经历从2025年三季度到2026年二季度约4.5倍的上涨后，可能在2027年继续上行。因此，当前常规DRAM在单位比特平均售价上已与高带宽内存（HBM）相当，甚至可能更高。伯恩斯坦指出，考虑到更高的比特密度与良率，今年常规DRAM每晶圆产能的收入可能是HBM的两倍，并享有明显更高的利润率。该机构估算，HBM价格需要再提升约三倍，才能在单位晶圆产能收入上追赶常规DRAM。不过，存储芯片厂商可能不会如此激进地提高HBM价格，因为他们明白，HBM成本过高可能不利于整个人工智能生态系统的发展，并最终反过来抑制存储需求。